简介
郭道友,男,校特聘教授/博导,爱思唯尔中国高被引学者,入选浙江省“万人计划”青年拔尖人才,获北京市自然科学二等奖(排名2/5,2020年)、中国商业联合会科学技术奖-全国商业科技进步奖一等奖(排名1/8,2022年)。从2013年开始一直从事超宽禁带氧化物半导体氧化镓材料的生长、物性及器件应用方面的研究。以第一/通讯作者在Phys. Rev. Appl.、Appl. Phys. Lett.、ACS Nano等国际知名刊物上发表氧化镓相关SCI论文60余篇【入选ESI高被引论文10篇、ESI热点论文2篇,4篇入选发表所在杂志的热点或高被引论文,1篇入选Semicond. Sci. Tech.杂志2017年亮点论文(Highlights of 2017)并获IOP出版社2019年中国最高被引作者奖(China Top Cited Author Award),1篇于2021年入选OMEx杂志创刊10年来引用最多的论文专刊(Most Cited Optical Materials Express (OMEx) Papers of the Decade)】,邀请/撰写氧化镓相关综述3篇,同时合作发表SCI论文20余篇。论文被包括中国科学院院士、氧化镓国际研讨会主席、美国空军研究实验室等国内外著名学者或权威机构正面引用及评价总计6000余次【https://sci-hub.org.cn/citations?hl=zh-TW&user=VNJmnGAAAAAJ】,单篇引用超过百次的论文有13篇,2篇论文单篇引用超400次,个人H因子为42。担任 Nat. Electron.、Adv. Mater. 、ACS Nano等20余种期刊审稿人。申请氧化镓相关专利52项,其中已授权30项。正主持或完成国家自然科学基金面上项目、浙江省自然科学基金、浙江省“万人计划”青年拔尖人才项目、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心项目(中国原子能科学研究院)等项目13项。担任国家自然科学基金项目评审专家、浙江省自然科学基金及广东省自然科学基金评审专家。
欢迎有物理、材料、电子信息等背景,具有独立思考、刻苦专研、对科研热情及良好英语基础的优秀学子加入。
研究领域
1.氧化镓薄膜外延生长与晶相/物性调控研究
2.氧化镓纳米柱阵列与光电流双极性行为研究
3.氧化镓基日盲紫外探测器的制备与应用研究
4.氧化镓材料与日盲探测器的抗辐照性能研究