简介

    郭道友,男,特聘副教授,硕士生导师,毕业于北京邮电大学获工学博士学位。2013年开始一直从事超宽禁带氧化物半导体Ga2O3材料的生长、物性及器件应用方面的研究,特别是在日盲深紫外探测器方面的应用。主持国家自然科学基金1项、浙江省基础公益研究项目1项、浙江省教育厅一般项目1项、国家重点实验室开放课题以及横向课题各1项。截止目前(20193月)以第一作者发表Ga2O3相关SCI论文14篇【其中3篇为ESI高被引论文,包括1ACS Nano3Appl. Phys. Lett.1ACS Appl. Mater. Interfaces, 1J. Mater. Chem. C, 2Sci. Rep.】,以通讯作者发表Ga2O3相关SCI论文10篇。论文被Adv. Energy Mater., Adv. Mater., Adv. Funct.  Mater., Appl. Phys. Rev.J. Mater. Chem. A, ACS PhotonicsAppl. Phys. Lett.等国际知名杂志引用800余次,其中2篇文章的引用超过百次,单篇最高已被引172次【Opt. Mater. Express, 2014, 4: 1067】,申请Ga2O3相关专利10余项,其中已授权3项。另外,以共同作者参与发表Ga2O3相关SCI论文30余篇Adv. Optical Mater., ACS Appl. Mater. Interfaces, ACS Photonics, J. Mater. Chem. CSCI杂志的审稿人。

研究领域

1. 超宽禁带半导体Ga2O3薄膜的生长及其异质结的构筑


2. Ga2O3纳米柱阵列的生长与相结构筑


3. Ga2O3基日盲紫外探测器的制备与应用研究

 

联系方式

通讯地址:浙江省杭州市下沙高教园区2号大街928号浙江理工大学3S404-3
办公电话:0571-86843468
电子邮箱:dyguo@zstu.edu.cn

姓名:郭道友

性别:男

所在部门:理学院

行政职务:

专业技术职务:讲师

人才称号

所属学科

【硕士点】
» 物理学

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